Micron Technology mengungkap perkembangan terbaru teknologi penyimpanan 3D NAND generasi ke-11 atau G11 yang dirancang menggunakan lebih dari 400 lapisan memori. Dalam presentasi teknologi pada 21 Oktober 2026, perusahaan menjelaskan bahwa generasi baru tersebut akan membawa peningkatan signifikan pada kepadatan penyimpanan, kecepatan transfer data, dan efisiensi energi. Micron menargetkan produksi massal G11 mulai meningkat pada paruh kedua 2027 dengan dukungan metode wafer-on-wafer bonding. Pengembangan ini menjadi langkah strategis dalam menghadapi kebutuhan pusat data, komputasi kecerdasan buatan, dan perangkat penyimpanan berkapasitas tinggi yang terus berkembang seiring kemajuan TEKNOLOGI digital.
Rencana Micron Menghadirkan 3D NAND Lebih dari 400 Lapisan
Penyempurnaan teknologi 3D NAND menjadi prioritas strategis dalam strategi perusahaan memperkuat kemampuan penyimpanan data. Dengan rancangan G11, Micron merencanakan struktur memori yang memiliki lebih dari 400 lapisan aktif. Jumlah tersebut menjadi kemajuan besar dibandingkan teknologi NAND yang digunakan saat ini. Melalui penjelasan pengembangannya, pihak perusahaan menyampaikan bahwa G11 dikembangkan setelah NAND generasi kesembilan atau G9. Salah satu keputusan penting, Micron sengaja melompati penamaan generasi kesepuluh karena generasi baru membawa lompatan kemampuan. Keputusan penamaan ini memperlihatkan ambisi perusahaan dalam mendukung kebutuhan penyimpanan masa depan.
Micron menargetkan peningkatan produksi massal NAND G11 pada periode Juli hingga Desember 2027. Target pengembangan ini menunjukkan bahwa produk G11 belum memasuki produksi massal penuh. Sementara itu, Micron masih menjalankan penyempurnaan proses manufaktur. Dalam rencana teknologi tersebut, spesifikasi teknis yang lebih lengkap akan diungkap lebih lanjut ketika pengembangan memasuki tahap berikutnya. Dengan mempertimbangkan kondisi ini, spesifikasi pengembangan yang diperkenalkan masih merupakan sasaran teknologi yang masih membutuhkan validasi komersial.
Teknologi Penyimpanan Bertingkat Micron Mengoptimalkan Ruang Chip
Salah satu prinsip utama teknologi 3D NAND adalah menempatkan komponen penyimpanan dalam lapisan bertingkat. Tidak seperti rancangan NAND yang hanya mengutamakan bidang datar, teknologi ini memungkinkan meningkatkan jumlah sel tanpa selalu menambah luas permukaan silikon. Dalam teknologi G9, Micron telah menerapkan struktur dengan 276 lapisan. Dengan generasi terbaru, jumlah tersebut direncanakan bertambah lebih dari 400 lapisan. Perubahan struktur tersebut menjadi bagian dari upaya meningkatkan kepadatan penyimpanan. Melalui struktur bertingkat yang lebih tinggi, Micron berupaya meningkatkan jumlah data tersimpan pada area chip yang terbatas.
Namun demikian, peningkatan kapasitas tidak hanya bergantung pada tinggi susunan NAND. Aspek tambahan berupa ukuran sel memori, efisiensi rancangan, dan teknologi fabrikasi juga memengaruhi kapasitas penyimpanan per wafer. Dalam pengembangan G11, produsen merencanakan penggandaan bit density dibandingkan G9. Sasaran peningkatan ini didukung oleh penggabungan optimalisasi dimensi memori serta teknologi penyambungan wafer. Jika berhasil dicapai, perusahaan berpotensi menghasilkan kepadatan memori yang lebih tinggi dengan struktur yang semakin padat.
Wafer-on-Wafer Bonding Menjadi Kunci Pengembangan NAND G11
Peningkatan teknologi yang penting pada NAND G11 adalah integrasi teknologi bonding antarlapisan wafer. Metode fabrikasi ini memberikan kemampuan untuk produksi susunan sel dan sirkuit kontrol pada wafer berbeda. Setelah proses manufaktur, struktur yang berbeda digabungkan melalui proses penyambungan presisi. Berkat pemisahan proses, Micron berpeluang menyempurnakan teknologi untuk masing-masing komponen. Komponen kontrol dapat dirancang menggunakan metode yang sesuai, sedangkan bagian memori dikembangkan dengan mengutamakan kapasitas penyimpanan. Pemisahan karakteristik komponen membuka peluang bagi integrasi dua wafer.
Integrasi proses wafer-on-wafer juga memberikan peluang untuk mengoptimalkan pengaturan rangkaian. Pada sejumlah arsitektur sebelumnya, penambahan lapisan NAND dapat meningkatkan kesulitan fabrikasi. Sebagai gambaran, pembentukan jalur vertikal mengandalkan kontrol proses yang ketat. Ketika jumlah lapisan bertambah, produsen perlu menjaga kualitas sambungan. Kendati pendekatan ini menghadirkan keuntungan arsitektur, penerapannya masih bergantung pada pengujian kualitas sambungan. Keberhasilan penerapan memegang peran besar untuk mencapai target biaya manufaktur.
Micron Menargetkan Kecepatan I/O Lebih Tinggi dan Energi Lebih Hemat
Di samping peningkatan jumlah bit, Micron berupaya menghadirkan performa komunikasi data yang lebih cepat pada NAND G11. Menurut penjelasan teknologi Micron, generasi terbaru tersebut ditujukan mencapai kecepatan I/O hingga 1,5 kali G9. Peningkatan ini memiliki arti penting bagi infrastruktur komputasi yang intensif menggunakan memori. Ketika sistem memproses data, laju perpindahan informasi memengaruhi kelancaran pemindahan data. Namun demikian, kecepatan perangkat penyimpanan akhir tidak hanya ditentukan oleh teknologi NAND, jenis beban kerja, dan suhu komponen.
Pada aspek efisiensi energi, Micron menargetkan penurunan energi transfer data per bit lebih dari 25 persen dibandingkan NAND G9. Sasaran efisiensi ini relevan bagi industri karena perangkat penyimpanan modern memindahkan volume data yang terus meningkat. Melalui peningkatan efisiensi komunikasi, teknologi baru berpeluang membatasi kebutuhan energi komunikasi. Walaupun penghematannya menjanjikan, target ini bukan menunjukkan konsumsi listrik seluruh perangkat berkurang 25 persen. Komponen lain seperti controller, penyangga data, dan pengaturan termal juga memengaruhi konsumsi listrik.
Teknologi Micron Dipersiapkan untuk Komputasi Kecerdasan Buatan
Pertumbuhan sistem AI mendorong penggunaan perangkat penyimpanan modern. Di infrastruktur server, pengolahan model modern melibatkan dataset berukuran besar. Informasi yang digunakan harus tersedia pada infrastruktur storage berperforma tinggi. Melalui pengembangan G11, Micron berupaya mendukung permintaan data center modern. Peningkatan jumlah bit per chip berpotensi memungkinkan peningkatan kapasitas penyimpanan per perangkat. Untuk pengelola server, perkembangan teknologi tersebut memberikan peluang untuk memperbesar volume penyimpanan tanpa harus menambah jumlah perangkat secara sebanding.
Tidak hanya berfokus pada memori flash konvensional, Micron juga memperkenalkan konsep penyimpanan khusus beban kerja AI. Salah satu arah utamanya adalah high-IOPS NAND yang dirancang untuk menangani permintaan baca tulis intensif. Konsep penyimpanan ini mengandalkan struktur berbasis SLC untuk beban kerja tertentu. Contoh penerapannya meliputi vector search, pemrosesan graph analytics, serta penyimpanan informasi konteks model. Di sisi pengembangan lainnya, produsen mengembangkan konsep high-bandwidth NAND yang ditujukan mendekatkan penyimpanan ke komputasi. Kendati roadmap telah dipaparkan, jadwal ketersediaan seluruh kategori masih menunggu pengembangan lanjutan.
Kesimpulan: Micron G11 Membawa Lompatan Teknologi Penyimpanan
Pengembangan NAND generasi ke-11 dari Micron menandai kemajuan strategis dalam industri memori flash. Melalui penggunaan lebih dari 400 lapisan dan pendekatan fabrikasi wafer terpisah, Micron menargetkan kepadatan bit dua kali G9. Selain kapasitas, G11 juga dikembangkan untuk mendukung kecepatan I/O 1,5 kali lebih tinggi serta penurunan konsumsi energi setiap bit yang dipindahkan. Kombinasi tersebut berpotensi mendukung penyimpanan berkapasitas tinggi.
Walaupun memiliki potensi besar, NAND G11 masih berada dalam periode sebelum ekspansi produksi skala besar. Produsen memori ini mempersiapkan ekspansi manufaktur pada enam bulan terakhir 2027. Realisasi target tersebut memerlukan kemampuan mencapai hasil manufaktur yang stabil. Ketika target teknologi dapat diwujudkan, inovasi ini memiliki peluang meningkatkan efisiensi perangkat storage modern. Seperti apa pandangan Anda mengenai inovasi memori Micron G11? Ceritakan pemikiran Anda tentang perkembangan memori untuk kecerdasan buatan dalam kebutuhan komputasi masa depan.
